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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
GCMX005A120B3B1P | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1560-GCMX005A120B3B1P-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GCMX005A120B3B1P |
Description | MOSFET 4N-CH 1200V 383A |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 383A (Tc) 1154W (Tc) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 7mohms à 200A, 20V |
Fabricant SemiQ | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 80mA |
Conditionnement Plateau | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 927nC à 20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 23500pF à 800V |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Puissance - Max. 1154W (Tc) |
Configuration 4 Canal N (demi-pont) | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Type de montage Montage sur châssis |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 383A (Tc) | Boîtier Module |
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Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 219,82000 $ | 219,82 $ |
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