Name: SH8M41TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SH8M41TB1TR-ND
Price: 3.4 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SH8M41TB1
Numéro de produit DigiKey	SH8M41TB1TR-ND - Bande et bobine SH8M41TB1CT-ND - Bande coupée (CT) SH8M41TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	SH8M41TB1
Description	MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 80V 3,4 A, 2,6 A 2W Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SH8M41TB1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9,2nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 600pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 2W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 80V	Boîtier fournisseur 8-SOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,4 A, 2,6 A	Numéro de produit de base SH8M41
Rds On (max.) à Id, Vgs 130mohms à 3,4A, 10V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2 500

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

SH8M41TB1