Name: RS3L110ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS3L110ATTB1TR-ND
Price: 4.78 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RS3L110ATTB1
Numéro de produit DigiKey	846-RS3L110ATTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RS3L110ATTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RS3L110ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RS3L110ATTB1
Description	PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 11 A (Ta) 1,4W (Ta) Montage en surface 8-SOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RS3L110ATTB1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12,8mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	115 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6300 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,4W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOP
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	RS3L