Name: RQ3N040ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3N040ATTB1TR-ND
Price: 2.6 CAD
Availability: InStock

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RQ3N040ATTB1
Numéro de produit DigiKey	846-RQ3N040ATTB1TR-ND - Bande et bobine 846-RQ3N040ATTB1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RQ3N040ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3N040ATTB1
Description	PCH -80V -10A, HSMT8, POWER MOSF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 80 V 4A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 930 pF @ 40 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta), 15W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A (Ta), 10A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-HSMT (3,2x3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 126mohms à 4A, 10V