Name: RD3P05BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P05BATTL1TR-ND
Price: 5.51 CAD
Availability: InStock

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RD3P05BATTL1
Numéro de produit DigiKey	846-RD3P05BATTL1TR-ND - Bande et bobine 846-RD3P05BATTL1CT-ND - Bande coupée (CT) 846-RD3P05BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RD3P05BATTL1
Description	PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 50 A (Tc) 101W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RD3P05BATTL1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4620 pF @ 50 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 101W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 41mohms à 25A, 10V	Numéro de produit de base RD3P05