Name: RD3G08BBJHRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND
Price: 5.13 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

RD3G08BBJHRBTL
Numéro de produit DigiKey	846-RD3G08BBJHRBTLTR-ND - Bande et bobine 846-RD3G08BBJHRBTLCT-ND - Bande coupée (CT) 846-RD3G08BBJHRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RD3G08BBJHRBTL
Description	PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 80 A (Ta) 142W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,9mohms à 80 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+5V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7350 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	142W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63