QS8M13TCR est obsolète et n'est plus fabriqué.
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En stock: 1 877
Prix unitaire : 1,91000 $
Fiche technique

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En stock: 15 402
Prix unitaire : 2,19000 $
Fiche technique
MOSFET - Matrices 30V 6A, 5A 1,5W Montage en surface TSMT8
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
MOSFET - Matrices 30V 6A, 5A 1,5W Montage en surface TSMT8
846~TSMT8~~8

QS8M13TCR

Numéro de produit DigiKey
QS8M13TCRTR-ND - Bande et bobine
QS8M13TCRCT-ND - Bande coupée (CT)
QS8M13TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
QS8M13TCR
Description
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 6A, 5A 1,5W Montage en surface TSMT8
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
QS8M13TCR Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Fabricant
Rohm Semiconductor
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
5,5nC à 5V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
390pF à 10V
Statut du composant
Obsolète
Puissance - Max.
1,5W
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Configuration
Canaux N et P
Type de montage
Montage en surface
Fonction FET
Porte de niveau logique
Boîtier
8-SMD, broches plates
Tension drain-source (Vdss)
30V
Boîtier fournisseur
TSMT8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6A, 5A
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
28mohms à 6A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
QH8MA3TCRRohm Semiconductor1 877QH8MA3TCRCT-ND1,91000 $Similaire
ECH8661-TL-Honsemi15 402ECH8661-TL-HOSCT-ND2,19000 $Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.