


QS8J4TR | |
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Numéro de produit DigiKey | QS8J4TR-ND - Bande et bobine QS8J4CT-ND - Bande coupée (CT) QS8J4DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | QS8J4TR |
Description | MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 4A 550mW Montage en surface TSMT8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | QS8J4TR Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA |
Fabricant Rohm Semiconductor | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 800pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 550mW |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux P (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SMD, broches plates |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur TSMT8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 56mohms à 4A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,53000 $ | 2,53 $ |
| 10 | 1,60500 $ | 16,05 $ |
| 100 | 1,07280 $ | 107,28 $ |
| 500 | 0,84446 $ | 422,23 $ |
| 1 000 | 0,77101 $ | 771,01 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,67773 $ | 2 033,19 $ |
| 6 000 | 0,63078 $ | 3 784,68 $ |
| 9 000 | 0,60687 $ | 5 461,83 $ |
| 15 000 | 0,58002 $ | 8 700,30 $ |
| 21 000 | 0,57606 $ | 12 097,26 $ |

