Name: HS8K11TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K11TBTR-ND
Price: 1.49 CAD
Availability: InStock

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HS8K11TB
Numéro de produit DigiKey	HS8K11TBTR-ND - Bande et bobine HS8K11TBCT-ND - Bande coupée (CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	HS8K11TB
Description	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 7 A, 11 A 2W Montage en surface HSML3030L10
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	HS8K11TB Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7 A, 11 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	17,9mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11,1nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	500pF à 15V
Puissance - Max.	2W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-UDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	HSML3030L10
Numéro de produit de base	HS8K11