Name: HP8M31TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8M31TB1TR-ND
Price: 4.68 CAD
Availability: InStock

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HP8M31TB1
Numéro de produit DigiKey	HP8M31TB1TR-ND - Bande et bobine HP8M31TB1CT-ND - Bande coupée (CT) HP8M31TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	HP8M31TB1
Description	MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 8,5 A (Ta) 3W (Ta) Montage en surface 8-HSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	HP8M31TB1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8,5 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 8,5A, 10V, 70mohms à 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12,3nC à 10V, 38nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	470pF à 30V, 2300pF à 30V
Puissance - Max.	3W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur	8-HSOP
Numéro de produit de base	HP8M31