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MOSFET - Matrices 750V 90 A (Tc) 385W (Tc) Trou traversant 20-HSDIP
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BST91T1P4K01-VC

Numéro de produit DigiKey
846-BST91T1P4K01-VC-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BST91T1P4K01-VC
Description
HSDIP20, 750V, 90A, 3-PHASE-BRID
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 750V 90 A (Tc) 385W (Tc) Trou traversant 20-HSDIP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Boîte
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
6 N-Channel (Phase Leg)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
750V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
90 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
19mohms à 91A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,8V à 30,8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
170nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4580pF à 500V
Puissance - Max.
385W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
Module 20-PowerDIP (1,508po, 38,30mm)
Boîtier fournisseur
20-HSDIP
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Tous les prix sont en CAD
Boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
1224,90000 $224,90 $
10190,28500 $1 902,85 $
60175,22100 $10 513,26 $
Conditionnement standard du fabricant