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MOSFET - Matrices 750V 47 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant 20-HSDIP
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BST47T1P4K01-VC

Numéro de produit DigiKey
846-BST47T1P4K01-VC-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BST47T1P4K01-VC
Description
HSDIP20, 750V, 47A, 3-PHASE-BRID
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 750V 47 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant 20-HSDIP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Boîte
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
6 N-Channel (Phase Leg)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
750V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
47 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
37mohms à 47A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,8V à 15,4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
97nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2300pF à 500V
Puissance - Max.
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
Module 20-PowerDIP (1,508po, 38,30mm)
Boîtier fournisseur
20-HSDIP
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Tous les prix sont en CAD
Boîte
Quantité Prix unitaire Prix total
1132,08000 $132,08 $
10110,12300 $1 101,23 $
60100,57500 $6 034,50 $
12097,99233 $11 759,08 $
Conditionnement standard du fabricant