Name: BSM600D12P4G103
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM600D12P4G103-ND
Price: 1864.71 CAD
Availability: InStock

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BSM600D12P4G103
Numéro de produit DigiKey	846-BSM600D12P4G103-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSM600D12P4G103
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 567A (Tc) 1780W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 4,8V à 291,2mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 59000pF à 10V
Conditionnement Boîte	Puissance - Max. 1780W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies Carbure de silicium (SiC)	Type de montage Montage sur châssis
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier Module
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)	Boîtier fournisseur Module
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 567A (Tc)	Numéro de produit de base BSM600