Name: BSM180D12P2E002
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM180D12P2E002-ND
Price: 1008.3 CAD
Availability: InStock

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BSM180D12P2E002
Numéro de produit DigiKey	846-BSM180D12P2E002-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSM180D12P2E002
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	204 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 35,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	18000pF à 10V
Puissance - Max.	1360W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module
Numéro de produit de base	BSM180