MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 780W Module
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MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 780W Module
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM120D12P2C005

Numéro de produit DigiKey
BSM120D12P2C005-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSM120D12P2C005
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
cms-lead-weeks-value
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 780W Module
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
BSM120D12P2C005 cms-models
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2,7V à 22mA
cms-manufacturer
Rohm Semiconductor
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
14000pF à 10V
Conditionnement
En vrac
Puissance - Max.
780W
Statut du composant
Actif
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Boîtier
Module
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Boîtier fournisseur
Module
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Numéro de produit de base
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
120 A (Tc)
Classifications environnementales et d'exportation
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Quantité Prix unitaire Prix total
1577,85000 $577,85 $