Name: BSM120D12P2C005
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM120D12P2C005-ND
Price: 548.15 CAD
Availability: InStock

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BSM120D12P2C005
Numéro de produit DigiKey	BSM120D12P2C005-ND
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BSM120D12P2C005
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 780W Module
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSM120D12P2C005 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Rohm Semiconductor
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	2,7V à 22mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	-
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14000pF à 10V
Puissance - Max.	780W
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module
Numéro de produit de base	BSM120