Name: AG502EGD3HRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG502EGD3HRBTLTR-ND
Price: 3.62 CAD
Availability: InStock

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AG502EGD3HRBTL
Numéro de produit DigiKey	846-AG502EGD3HRBTLTR-ND - Bande et bobine 846-AG502EGD3HRBTLCT-ND - Bande coupée (CT) 846-AG502EGD3HRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	AG502EGD3HRBTL
Description	PCH -40V -68A, TO-252 (DPAK), PO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 68 A (Tc) 77W (Tc) Montage en surface TO-252
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V
Fabricant Rohm Semiconductor	Vgs (max.) +5V, -20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2420 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 77W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 68 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur TO-252
Rds On (max.) à Id, Vgs 13,1mohms à 68A, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA