Name: NP75P04YLG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75P04YLG-E1-AYTR-ND
Price: 4.78 CAD
Availability: InStock

Canal P 40 V 75 A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montage en surface 8-HSON

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NP75P04YLG-E1-AY
Numéro de produit DigiKey	559-NP75P04YLG-E1-AYTR-ND - Bande et bobine 559-NP75P04YLG-E1-AYCT-ND - Bande coupée (CT) 559-NP75P04YLG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	NP75P04YLG-E1-AY
Description	MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 75 A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montage en surface 8-HSON
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NP75P04YLG-E1-AY Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	75 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,7mohms à 37,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4800 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1W (Ta), 138W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HSON
Boîtier	8-SMD, sortie plate, plot exposé