Name: NP50P06SDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND
Price: 5.02 CAD
Availability: InStock

Canal P 60 V 50 A (Tc) 1,2W (Ta), 84W (Tc) Montage en surface TO-252 (MP-3ZK)

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NP50P06SDG-E1-AY
Numéro de produit DigiKey	559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND - Bande et bobine 559-NP50P06SDG-E1-AYCT-ND - Bande coupée (CT) 559-NP50P06SDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	NP50P06SDG-E1-AY
Description	MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 50 A (Tc) 1,2W (Ta), 84W (Tc) Montage en surface TO-252 (MP-3ZK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NP50P06SDG-E1-AY Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5000 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 1,2W (Ta), 84W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252 (MP-3ZK)
Rds On (max.) à Id, Vgs 16,5mohms à 25A, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA