Name: NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND
Price: 9.18 CAD
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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NP100P06PDG-E1-AY
Numéro de produit DigiKey	559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND - Bande et bobine 559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND - Bande coupée (CT) 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	NP100P06PDG-E1-AY
Description	MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 100 A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NP100P06PDG-E1-AY Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15000 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	NP100P06