MOSFET - Matrices 30V 3,9 A, 3,5 A 900mW Montage en surface 8-SOIC
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SI4532DY

Numéro de produit DigiKey
SI4532DYTR-ND - Bande et bobine
SI4532DYCT-ND - Bande coupée (CT)
SI4532DYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
SI4532DY
Description
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 3,9 A, 3,5 A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,9 A, 3,5 A
Rds On (max.) à Id, Vgs
65mohms à 3,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
235pF à 10V
Puissance - Max.
900mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4532
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En stock: 12 962
Stock usine : 7 500
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
12,24000 $2,24 $
101,41700 $14,17 $
1000,94430 $94,43 $
5000,74120 $370,60 $
1 0000,67588 $675,88 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,60516 $1 512,90 $
5 0000,56145 $2 807,25 $
7 5000,53920 $4 044,00 $
12 5000,53237 $6 654,62 $
Conditionnement standard du fabricant
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