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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NXV08A170DB2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 488-NXV08A170DB2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NXV08A170DB2 |
Description | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 33 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 80V 200A (Tj) Trou traversant APM12-CBA |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant onsemi | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 195nC à 10V |
Conditionnement Plateau | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 14000pF à 40V |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement 175°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Grade Automobile |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Qualification AEC-Q100 |
Tension drain-source (Vdss) 80V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200A (Tj) | Boîtier Module 12-PowerDIP (1,118po, 28,40mm) |
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,99mohms à 80A, 10V, 1,35mohms à 80A, 10V | Boîtier fournisseur APM12-CBA |
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En stock: 204
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 32,23000 $ | 32,23 $ |
| 10 | 23,14700 $ | 231,47 $ |
| 288 | 18,44302 $ | 5 311,59 $ |
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