NXH50C120L2C2ES1G onsemi | Modules IGBT

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NXH50C120L2C2ES1G
Numéro de produit DigiKey	488-NXH50C120L2C2ES1G-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NXH50C120L2C2ES1G
Description	IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Référence client
Description détaillée	IGBT Module Inverseur triphasé avec frein 1200 V 50 A 20 mW Trou traversant 26-DIP
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 250 µA
Fabricant onsemi	Capacité d'entrée (Cies) à Vce 11.89 nF @ 20 V
Conditionnement Tube	Entrée Pont redresseur triphasé
Statut du composant Obsolète	Thermistance CTN Oui
Configuration Inverseur triphasé avec frein	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 1200 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 50 A	Boîtier Module 26-PowerDIP (1,199po, 47,20mm)
Puissance - Max. 20 mW	Boîtier fournisseur 26-DIP
Vce(on) (max.) à Vge, Ic 2,4V à 15V, 50A	Numéro de produit de base NXH50

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