NXH35C120L2C2ESG onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NXH35C120L2C2ESG
Numéro de produit DigiKey	488-NXH35C120L2C2ESG-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NXH35C120L2C2ESG
Description	IGBT MOD 1200V 35A 20MW 26-DIP
Référence client
Description détaillée	IGBT Module Inverseur triphasé avec frein 1200 V 35 A 20 mW Trou traversant 26-DIP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type d'IGBT	-
Configuration	Inverseur triphasé avec frein
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	35 A
Puissance - Max.	20 mW
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,4V à 15V, 35A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	250 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce	8.333 nF @ 20 V
Entrée	Pont redresseur triphasé
Thermistance CTN	Oui
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	Module 26-PowerDIP (1,199po, 47,20mm)
Boîtier fournisseur	26-DIP
Numéro de produit de base	NXH35