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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NXH008P120M3F1PTG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 5556-NXH008P120M3F1PTG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NXH008P120M3F1PTG |
Description | MOSFET 2N-CH 1200V 145A |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 145 A (Tc) 382W (Tj) Montage sur châssis |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 60mA |
Fabricant onsemi | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 419nC à 18V |
Conditionnement Plateau | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8334pF à 800V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 382W (Tj) |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Type de montage Montage sur châssis |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Boîtier Module |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 145 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 10,9mohms à 120A, 18V |
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Ressources supplémentaires
Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH008P120M3F1PG | onsemi | 44 | 5556-NXH008P120M3F1PG-ND | 163,77000 $ | Équivalent paramétrique |
En stock: 2
Stock usine : 16 240
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 160,15000 $ | 160,15 $ |
| 28 | 125,84643 $ | 3 523,70 $ |
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