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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NXH003P120M3F2PTHG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NXH003P120M3F2PTHG |
Description | MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 350 A (Tc) 979W (Tc) Montage sur châssis 36-PIM (56,7x62,8) |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 160mA |
Fabricant onsemi | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1195nC à 20V |
Conditionnement Plateau | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 20889pF à 800V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 979W (Tc) |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Type de montage Montage sur châssis |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Boîtier Module |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 350 A (Tc) | Boîtier fournisseur 36-PIM (56,7x62,8) |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5mohms à 200A, 18V | Numéro de produit de base |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 335,68000 $ | 335,68 $ |
| 20 | 301,15800 $ | 6 023,16 $ |
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