MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 55 A (Tc) 319W (Tc) Trou traversant APM32
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NVXK2VR40WXT2

Numéro de produit DigiKey
5556-NVXK2VR40WXT2-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NVXK2VR40WXT2
Description
MOSFET 6N-CH 1200V 55A APM32
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 55 A (Tc) 319W (Tc) Trou traversant APM32
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
6 canaux N (pont triphasé)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
55 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
59mohms à 35A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
4,3V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
106nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1789pF à 800V
Puissance - Max.
319W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
Module 32-PowerDIP (1,449po, 36,80mm)
Boîtier fournisseur
APM32
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1129,47000 $129,47 $
10103,20100 $1 032,01 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.