Name: NVMJD010N10MCLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJD010N10MCLTWGTR-ND
Price: 5.25 CAD
Availability: OutOfStock

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NVMJD010N10MCLTWG
Numéro de produit DigiKey	488-NVMJD010N10MCLTWGTR-ND - Bande et bobine 488-NVMJD010N10MCLTWGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMJD010N10MCLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMJD010N10MCLTWG
Description	MOSFET 2N-CH 100V 11.8A 8LFPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	44 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 11,8A (Ta), 62A (Tc) 3,1W (Ta), 84W (Tc) Montage en surface 8-LFPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26,4nC à 10V
Fabricant onsemi	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1795pF à 50V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 3,1W (Ta), 84W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N (double)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,8A (Ta), 62A (Tc)	Boîtier SOT-1205, 8-LFPAK56
Rds On (max.) à Id, Vgs 10mohms à 17A, 10V	Boîtier fournisseur 8-LFPAK
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 97µA