Name: NVMFD6H852NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD6H852NLT1GOSTR-ND
Price: 2.86 CAD
Availability: InStock

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NVMFD6H852NLT1G
Numéro de produit DigiKey	NVMFD6H852NLT1GOSTR-ND - Bande et bobine NVMFD6H852NLT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMFD6H852NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFD6H852NLT1G
Description	MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	31 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 80V 7A (Ta), 25A (Tc) 3,2W (Ta), 38W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10nC à 10V
Fabricant onsemi	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 521pF à 40V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 3,2W (Ta), 38W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N (double)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 80V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7A (Ta), 25A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 25,5mohms à 10A, 10V	Boîtier fournisseur 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 26µA	Numéro de produit de base NVMFD6