NVATS5A302PLZT4G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
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NVATS5A302PLZT4G

Numéro de produit DigiKey
NVATS5A302PLZT4G-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NVATS5A302PLZT4G
Description
MOSFET P-CHANNEL 60V 80A ATPAK
Référence client
Description détaillée
Canal P 60 V 80 A (Ta) 84W (Tc) Montage en surface ATPAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NVATS5A302PLZT4G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
13mohms à 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,6V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5400 pF @ 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
84W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
ATPAK
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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