Name: NTZS3151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZS3151PT1GOSTR-ND
Price: 0.58 CAD
Availability: InStock

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NTZS3151PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTZS3151PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTZS3151PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTZS3151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTZS3151PT1G
Description	MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Montage en surface SOT-563
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	860mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	150mohms à 950mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	458 pF @ 16 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	170mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-563
Boîtier	SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base	NTZS3151

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