Canal P 60 V 5,7 A (Ta) 3,2W (Ta), 40W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
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NTTFS5116PLTWG

Numéro de produit DigiKey
NTTFS5116PLTWGOSTR-ND - Bande et bobine
NTTFS5116PLTWGOSCT-ND - Bande coupée (CT)
NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTTFS5116PLTWG
Description
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
18 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal P 60 V 5,7 A (Ta) 3,2W (Ta), 40W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTTFS5116PLTWG Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
5,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
52mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1258 pF @ 30 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,2W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-WDFN (3,3x3,3)
Boîtier
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
NTTFS5
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En stock: 5 761
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
12,03000 $2,03 $
101,28100 $12,81 $
1000,84400 $84,40 $
5000,65626 $328,13 $
1 0000,59582 $595,82 $
2 0000,54498 $1 089,96 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
5 0000,45789 $2 289,45 $
10 0000,42611 $4 261,10 $
Conditionnement standard du fabricant
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