Name: NTTFD2D8N03P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD2D8N03P1ETR-ND
Price: 4.91 CAD
Availability: InStock

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NTTFD2D8N03P1E
Numéro de produit DigiKey	488-NTTFD2D8N03P1ETR-ND - Bande et bobine 488-NTTFD2D8N03P1ECT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTTFD2D8N03P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFD2D8N03P1E
Description	MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 16,1A (Ta), 80A (Tc) 1,04W (Ta), 26W (Ta) Montage en surface 12-WQFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 400µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20,8nC à 10V, 20,5nC à 10V
Série PowerTrench®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1500pF à 15V, 1521pF à 15V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1,04W (Ta), 26W (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier 12-PowerWQFN
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 12-WQFN (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16,1A (Ta), 80A (Tc)	Numéro de produit de base NTTFD2
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5mohms à 18A, 10V