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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NTTFD1D8N02P1E | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 488-NTTFD1D8N02P1E-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTTFD1D8N02P1E |
Description | MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 41 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta), 900mW (Ta) Montage en surface 8-PQFN (3,3x3,3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 4,2mohms à 15A, 10V, 1,4mohms à 29A, 10V |
Fabricant onsemi | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 190µA, 2V à 310µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5,5nC à 4,5V, 17nC à 4,5V |
Conditionnement En vrac | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 873pF à 15V, 2700pF à 15V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 800mW (Ta), 900mW (Ta) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 à canal N (double), asymétriques | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 25V | Boîtier 8-PowerWDFN |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11A (Ta), 21A (Ta) | Boîtier fournisseur 8-PQFN (3,3x3,3) |
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Ressources supplémentaires
En stock: 2 980
Stock usine : 27 000
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
En vrac
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,47000 $ | 3,47 $ |
| 10 | 2,21800 $ | 22,18 $ |
| 100 | 1,50740 $ | 150,74 $ |
| 500 | 1,20342 $ | 601,71 $ |
| 1 000 | 1,10568 $ | 1 105,68 $ |
| 3 000 | 0,98162 $ | 2 944,86 $ |
| 6 000 | 0,94907 $ | 5 694,42 $ |
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