MOSFET - Matrices 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W Montage en surface 8-DFN (5x6) double indicateur (SO8FL-double asymétrique)
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NTMFD4C20NT1G

Numéro de produit DigiKey
NTMFD4C20NT1GOSTR-ND - Bande et bobine
NTMFD4C20NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NTMFD4C20NT1G
Description
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W Montage en surface 8-DFN (5x6) double indicateur (SO8FL-double asymétrique)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2,1V à 250µA
Fabricant
onsemi
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
9,3nC à 4,5V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
970pF à 15V
Statut du composant
Obsolète
Puissance - Max.
1,09W, 1,15W
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
2 canaux N (double)
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
30V
Boîtier
8-PowerTDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9,1 A, 13,7 A
Boîtier fournisseur
8-DFN (5x6) double indicateur (SO8FL-double asymétrique)
Rds On (max.) à Id, Vgs
7,3mohms à 10A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 3
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Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
14,33000 $4,33 $