
NTMFD4C20NT1G | |
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Numéro de produit DigiKey | NTMFD4C20NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTMFD4C20NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTMFD4C20NT1G |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W Montage en surface 8-DFN (5x6) double indicateur (SO8FL-double asymétrique) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 250µA |
Fabricant onsemi | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9,3nC à 4,5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 970pF à 15V |
Statut du composant Obsolète | Puissance - Max. 1,09W, 1,15W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier 8-PowerTDFN |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,1 A, 13,7 A | Boîtier fournisseur 8-DFN (5x6) double indicateur (SO8FL-double asymétrique) |
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,3mohms à 10A, 10V | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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| 1 | 4,33000 $ | 4,33 $ |

