MOSFET - Matrices 30V 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc) 960mW (Ta), 25W (Tc), 1,04W (Ta), 41W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
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NTMFD001N03P9

Numéro de produit DigiKey
488-NTMFD001N03P9TR-ND - Bande et bobine
488-NTMFD001N03P9CT-ND - Bande coupée (CT)
488-NTMFD001N03P9DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTMFD001N03P9
Description
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc) 960mW (Ta), 25W (Tc), 1,04W (Ta), 41W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 à canal N (double), asymétriques
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
5mohms à 17A, 10V, 1mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
7,9nC à 4,5V, 43nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1224pF à 15V, 6575pF à 15V
Puissance - Max.
960mW (Ta), 25W (Tc), 1,04W (Ta), 41W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-PowerWDFN
Boîtier fournisseur
8-PQFN (5x6)
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En stock: 2 987
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
14,36000 $4,36 $
102,82100 $28,21 $
1001,94230 $194,23 $
5001,59170 $795,85 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0001,30041 $3 901,23 $
Conditionnement standard du fabricant