Name: NTLJS2103PTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS2103PTBGOSTR-ND
Price: 1.51 CAD
Availability: InStock

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NTLJS2103PTBG
Numéro de produit DigiKey	NTLJS2103PTBGOSTR-ND - Bande et bobine NTLJS2103PTBGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTLJS2103PTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTLJS2103PTBG
Description	MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 3,5 A (Ta) 700mW (Ta) Montage en surface 6-WDFN (2x2)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	µCool™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,2V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	40mohms à 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	800mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1157 pF @ 6 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-WDFN (2x2)
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Numéro de produit de base	NTLJS2103