Name: NTGS5120PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGS5120PT1GOSTR-ND
Price: 1.18 CAD
Availability: InStock

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NTGS5120PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTGS5120PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTGS5120PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTGS5120PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTGS5120PT1G
Description	MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 1,8 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTGS5120PT1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18.1 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 942 pF @ 30 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 600mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,8 A (Ta)	Boîtier fournisseur 6-TSOP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Rds On (max.) à Id, Vgs 111mohms à 2,9A, 10V	Numéro de produit de base NTGS5120