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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NSVMMUN2130LT1G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 488-NSVMMUN2130LT1G-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NSVMMUN2130LT1G |
Description | PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR ( |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés PNP - Prépolarisé 50 V 100 mA 246 mW Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 3 à 5mA, 10V |
Fabricant onsemi | Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 250mV à 5mA, 10mA |
Conditionnement En vrac | Courant - Résiduel de collecteur (max.) 500nA |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 246 mW |
Type de transistor PNP - Prépolarisé | Grade Automobile |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100 mA | Qualification AEC-Q101 |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50 V | Type de montage Montage en surface |
Résistances incluses R1 et R2 | Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Résistance - Base (R1) 1 kOhms | Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236) |
Résistance - Base d'émetteur (R2) 1 kOhms |
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,03206 $ | 96,18 $ |
