Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples PNP 35 V 2 A 100MHz 635 mW Montage en surface ChipFET™
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NSS35200CF8T1G

Numéro de produit DigiKey
NSS35200CF8T1GOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NSS35200CF8T1G
Description
TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples PNP 35 V 2 A 100MHz 635 mW Montage en surface ChipFET™
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de transistor
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
35 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
300mV à 20mA, 2A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100nA
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
100 à 1,5A, 2V
Puissance - Max.
635 mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SMD, broches plates
Boîtier fournisseur
ChipFET™
Numéro de produit de base
NSS35200
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,62066 $1 861,98 $
6 0000,57677 $3 460,62 $
9 0000,55549 $4 999,41 $
Conditionnement standard du fabricant