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SH8K25GZ0TB
Rohm Semiconductor
En stock: 702
Prix unitaire : 1,72000 $
Fiche technique
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MOSFET - Matrices 40V 3,4A 1,39W Montage en surface 8-SOIC
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MMDF3N04HDR2G

Numéro de produit DigiKey
MMDF3N04HDR2GOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
MMDF3N04HDR2G
Description
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 40V 3,4A 1,39W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
MMDF3N04HDR2G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,4A
Rds On (max.) à Id, Vgs
80mohms à 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
28nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
900pF à 32V
Puissance - Max.
1,39W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
MMDF3
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Obsolète
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Non annulable/Non remboursable