FW297-TL-2W est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Direct


Vishay Siliconix
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Fiche technique

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Fiche technique
8-SOIC
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FW297-TL-2W

Numéro de produit DigiKey
FW297-TL-2WOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FW297-TL-2W
Description
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 4,5A 1,8W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FW297-TL-2W Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique, attaque 4V
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4,5A
Rds On (max.) à Id, Vgs
58mohms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,6V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
750pF à 20V
Puissance - Max.
1,8W
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
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Obsolète
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