FJV4106RMTF est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés PNP - Prépolarisé 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Montage en surface SOT-23-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FJV4106RMTF

Numéro de produit DigiKey
FJV4106RMTF-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FJV4106RMTF
Description
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés PNP - Prépolarisé 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FJV4106RMTF Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
68 à 5mA, 5V
Fabricant
onsemi
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
300mV à 500µA, 10mA
Conditionnement
Bande et bobine
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100 nA (ICBO)
Statut du composant
Obsolète
Fréquence - Transition
200 MHz
Type de transistor
PNP - Prépolarisé
Puissance - Max.
200 mW
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Type de montage
Montage en surface
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
50 V
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Résistances incluses
R1 et R2
Boîtier fournisseur
SOT-23-3
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Numéro de produit de base
Résistance - Base d'émetteur (R2)
47 kOhms
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (21)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
MMUN2111LT1Gonsemi7 877MMUN2111LT1GOSCT-ND0,20000 $Similaire
MMUN2111LT3Gonsemi3 722MMUN2111LT3GOSCT-ND0,20000 $Similaire
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.
Non annulable/Non remboursable