Name: FDS9958
Brand: onsemi
SKU: FDS9958TR-ND
Price: 2.35 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDS9958
Numéro de produit DigiKey	FDS9958TR-ND - Bande et bobine FDS9958CT-ND - Bande coupée (CT) FDS9958DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS9958
Description	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 2,9A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux P (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,9A
Rds On (max.) à Id, Vgs	105mohms à 2,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1020pF à 30V
Puissance - Max.	900mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	FDS99