FDS6875 onsemi | Matrices de FET, MOSFET

FDS6875 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : 1,94000 $

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FDS6875
Numéro de produit DigiKey	FDS6875TR-ND - Bande et bobine FDS6875CT-ND - Bande coupée (CT) FDS6875DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS6875
Description	MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 6A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 30mohms à 6A, 4,5V
Fabricant onsemi	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Série PowerTrench®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2250pF à 10V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 900mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6A	Numéro de produit de base FDS68