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FDS6875 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FDS6875 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDS6875TR-ND - Bande et bobine FDS6875CT-ND - Bande coupée (CT) FDS6875DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDS6875 |
Description | MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 6A 900mW Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | onsemi | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux P (double) | |
Fonction FET | Porte de niveau logique | |
Tension drain-source (Vdss) | 20V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 6A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 30mohms à 6A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 31nC à 5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2250pF à 10V | |
Puissance - Max. | 900mW | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Numéro de produit de base |
Obsolète
Canada