Name: FDMS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS4435BZTR-ND
Price: 1.82 CAD
Availability: InStock

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FDMS4435BZ
Numéro de produit DigiKey	FDMS4435BZTR-ND - Bande et bobine FDMS4435BZCT-ND - Bande coupée (CT) FDMS4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS4435BZ
Description	MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 9 A (Ta), 18 A (Tc) 2,5W (Ta), 39W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta), 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	20mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2050 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 39W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-PQFN (5x6)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	FDMS4435