FDG6322C onsemi | Matrices de FET, MOSFET

FDG6322C est obsolète et n'est plus fabriqué.

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FDG6322C
Numéro de produit DigiKey	FDG6322CTR-ND - Bande et bobine FDG6322CCT-ND - Bande coupée (CT) FDG6322CDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDG6322C
Description	MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 25V 220mA, 410mA 300mW Montage en surface SC-88 (SC-70-6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,4nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9,5pF à 10V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 300mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tension drain-source (Vdss) 25V	Boîtier fournisseur SC-88 (SC-70-6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 220mA, 410mA	Numéro de produit de base FDG6322
Rds On (max.) à Id, Vgs 4ohms à 220mA, 4,5V