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EFC4C012NLTDG

Numéro de produit DigiKey
488-EFC4C012NLTDGTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
EFC4C012NLTDG
Description
MOSFET 2N-CH 30V 30A 6WLCSP
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 2,5W (Ta) Montage en surface 6-WLCSP (3,5x1,9)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 à canal N (double), drain commun
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
-
Rds On (max.) à Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
-
Puissance - Max.
2,5W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
6-SMD, sans plomb
Boîtier fournisseur
6-WLCSP (3,5x1,9)
Numéro de produit de base
EFC4C012
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