Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN 100 V 1 A 120MHz 800 mW Trou traversant TP
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2SC4134T-E

Numéro de produit DigiKey
2SC4134T-E-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
2SC4134T-E
Description
TRANS NPN 100V 1A TP
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN 100 V 1 A 120MHz 800 mW Trou traversant TP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
2SC4134T-E Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de transistor
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
100 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
400mV à 40mA, 400mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
100 nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
200 à 100mA, 5V
Puissance - Max.
800 mW
Fréquence - Transition
120MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
Boîtier fournisseur
TP
Numéro de produit de base
2SC4134
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Manufacturer Quote Required
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