RF MOSFET 50 V 200 mA 700MHz ~ 1,3GHz 20,4dB 750W NI-1230-4S
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RF MOSFET 50 V 200 mA 700MHz ~ 1,3GHz 20,4dB 750W NI-1230-4S
MRF13750H – High Power Solid-State RF Energy

MRF13750HSR5

Numéro de produit DigiKey
MRF13750HSR5-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
MRF13750HSR5
Description
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
99 semaines
Référence client
Description détaillée
RF MOSFET 50 V 200 mA 700MHz ~ 1,3GHz 20,4dB 750W NI-1230-4S
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
NXP USA Inc.
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
LDMOS
Fréquence
700MHz ~ 1,3GHz
Gain
20,4dB
Tension - Test
50 V
Courant nominal (A)
10µA
Facteur de bruit
-
Courant - Test
200 mA
Puissance - Sortie
750W
Tension - Nominale
105 V
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
NI-1230-4S
Boîtier fournisseur
NI-1230-4S
Numéro de produit de base
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
50437,40760 $21 870,38 $
Conditionnement standard du fabricant